随着AI热潮席卷全球，市场对于人工智能基础设施的关注点正悄然从GPU转向一个更为根本的瓶颈——存储。在内存芯片市场备受关注之际，全球一只直接押注全球内存芯片赛道的ETF也应运而生。
上周四（4月2日），由Roundhill推出的内存芯片ETF——Roundhill Memory ETF（代码为“DRAM”）正式上市美股，被定位为市场上首款“纯内存ETF”。
周一这只ETF收报29.16美元，涨1.40美元或5.04%。
作为当前市场上首个专注于投资内存芯片的ETF，DRAM ETF反映出当前内存市场的热度已经足够火爆。但是，也有不少投资者担忧，这只ETF可能会成为标志着存储市场已经过热，或许会成为警示多头的“反向卖出指标”。
首款专注内存股的ETF登陆美股市场
根据公告信息，DRAM ETF是一款主动管理型ETF，费率为0.65%，投资于一系列内存和存储产品制造商，目前仅持有九只股票。只有50%以上收入来自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被纳入。
该ETF主要重押全球三大DRAM巨头：美光科技（24.99%）、三星电子（24.22%）、SK海力士（23.83%），三者合计权重超七成。
其投资组合还纳入了闪迪、日本铠侠、西部电子、希捷、以及中国台湾的南亚科和华邦电等内存大厂。
相较于传统半导体ETF（涵盖设计、设备、晶圆代工的广泛配置），DRAM这只ETF更强调专注于投资存储芯片相关企业，直接押注AI时代最关键的资料储存与频宽需求。
对于美国本土的投资人而言，即使SK海力士即将在美上市，但是其他一些内存股重要标的，例如三星电子，在海外上市，很难被其他ETF所罗列，投资渠道较有限。
市场人士指出，DRAM ETF的诞生，实际上具有重要象征意义——它不应仅仅被视为“又一只半导体主题ETF”，而真正重要的是，它标志着资本市场首次将“内存芯片”从更广泛的半导体领域中剥离出来，创造了一个可以直接交易、推广和定价的独立主题。
任何主题，一旦被命名、包装并上市交易，就完成了从工业逻辑到金融逻辑的飞跃。DRAM ETF的诞生正是这一转变的标志。
标志市场过热的“反向指标”？
然而，任何被市场广泛认可的叙事，一旦进入ETF阶段，就必须面对一个令人不安的问题：现在是不是已经过热了？
一些机构根据历史经验认为，当一个细分行业变得足够热门、以至于催生出专门的ETF时，这通常表明该行业的热度已经进入了相对后期的阶段。
BTIG首席市场技术分析师乔纳森·克林斯基就是这一观点的支持者。他指出，新推出的DRAM ETF可能正预示着存储周期即将达到顶峰。
克林斯基指出，过去一年，高盛科技、媒体和电信（TMT）存储指数已经上涨了350%，并在今年2月份达到了400%以上的涨幅峰值。而DRAM ETF直到现在才推出，这是一个明显的“反向卖出信号”。
“如果历史可以作为参考，那么现在正是你应该出售那些被人们记住的名字的时候，”克林斯基直言。
克林斯基列举了过去几年内的几只专注于热门主题的ETF——这些ETF都“以极其精准的方式发挥了反向指标的作用”。
比如，Roundhill Meme Stock ETF（股票代码：MEME）于2021年12月推出，追踪瑞银的MEME股票指数。该ETF在2023年11月关闭前，累计跌幅超过70%。
另一个举例则来自VanEck Vectors煤炭ETF，该ETF于2008年1月推出，并主要追踪道琼斯煤炭指数作为代表。而该ETF在2020年12月关闭前承受了巨大跌幅，但道琼斯煤炭指数自该ETF关闭之后，却出现了大幅上涨。
此外类似的例子还有很多，比如2021年10月比特币期货ETF推出后，已累计下跌超过77%等等。
在这些“前车之鉴”下，克林斯基不得不怀疑，DRAM ETF可能也会走上类似的道路，标志着内存市场“正处于这轮抛物线式上涨的最后阶段”。
他特别指出，DRAM ETF最为重仓的股票——美光科技——当前的股价已经看起来“高得惊人”，其近期交易价格已比200日移动平均线高出150%以上，这是“历史上最大的价差，超过了科技泡沫时期的任何情况”。而在这一背景下，DRAM ETF很可能也将面临管理市值大幅回落的风险。
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